时间：2025/5/22 0:35:15
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MAR9132BPD013TR 是一款高性能的 N 沩道 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-263 封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效功率控制的场景中。
这款 MOSFET 具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够在高频条件下保持高效的性能表现，同时其紧凑的封装设计使其非常适合空间受限的应用环境。
型号：MAR9132BPD013TR
类型：N-MOSFET
封装：TO-263
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：85A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗（Ptot）：140W
工作温度范围（Tj）：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷（Qg）：45nC（典型值）
MAR9132BPD013TR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动下仅为 2.5mΩ，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 85A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
3. 快速开关速度，得益于其较低的栅极电荷（Qg），能够减少开关损耗并提升高频性能。
4. 较高的击穿电压（60V），保证了器件在各种复杂电路中的可靠性。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），使其适应极端环境下的稳定运行需求。
6. 紧凑的 TO-263 封装，适合于需要节省 PCB 空间的场合。
MAR9132BPD013TR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换与控制。
2. DC-DC 转换器，特别是在汽车电子和工业自动化设备中。
3. 电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机等。
4. 工业逆变器及 UPS 系统中的功率管理模块。
5. 各种负载切换和保护电路，例如电池管理系统（BMS）。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP85NF06
