时间：2025/12/26 3:49:51
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SBR20U100CT是一款由Vishay Semiconductors生产的20A、100V表面贴装肖特基势垒整流二极管，采用TO-277（D2PAK）封装。该器件专为高效率电源转换应用设计，尤其适用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器以及续流或箝位二极管等场景。SBR20U100CT由两个阴极连接的肖特基二极管组成，构成中心抽头结构，这种配置在低压大电流输出的同步整流拓扑中非常常见，能够有效减少元件数量并优化PCB布局空间。得益于其低正向压降和快速恢复特性，该器件显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。
该器件采用先进的平面工艺制造，确保了稳定可靠的电气性能，并具备良好的热稳定性。TO-277封装具有优异的散热能力，支持高功率密度设计，并兼容自动贴片生产工艺，适合大规模自动化生产。此外，SBR20U100CT符合RoHS环保标准，无卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其高性能和紧凑设计，SBR20U100CT广泛应用于计算机主板、服务器电源、电信设备、工业控制系统以及消费类电子产品的电源模块中。
类型：双中心抽头肖特基整流二极管
配置：双二极管，共阴极
最大平均整流电流：20A
峰值重复反向电压：100V
最大直流阻断电压：100V
最大正向平均电流（每芯片）：10A
最大正向压降（IF=10A, TJ=25°C）：0.82V
最大漏电流（VR=100V, TJ=125°C）：2.0mA
工作结温范围：-65°C 至 +175°C
存储温度范围：-65°C 至 +175°C
封装：TO-277（D2PAK）
安装类型：表面贴装
引脚数：3
SBR20U100CT的核心优势在于其卓越的电学性能与高效的热管理能力，特别适用于高效率电源系统。首先，其低正向压降特性在大电流条件下表现尤为突出，在TJ=25°C且IF=10A时，典型正向压降仅为0.82V，这显著减少了导通期间的能量损耗，提升了电源转换效率，对于需要长时间运行的高负载设备而言至关重要。同时，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr），有效抑制了开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），使得该器件非常适合高频开关应用环境，如工作频率高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器。
其次，SBR20U100CT采用双芯片共阴极结构，内部集成了两个独立但共享阴极的肖特基二极管，形成等效的中心抽头配置，这种设计常用于同步整流拓扑中作为次级侧整流元件，尤其是在低压大电流输出（例如12V/5V转3.3V或更低）的应用中，能简化外围电路设计，减少PCB布线复杂度，并提高系统的可靠性。该器件额定总平均整流电流达20A，表明其具备较强的电流承载能力，配合TO-277封装良好的热传导路径，可通过焊盘直接将热量传递至PCB上的铜层进行散热，实现高效热管理。
再者，该器件拥有宽泛的工作结温和存储温度范围（-65°C至+175°C），使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。其反向漏电流在高温下控制良好，在VR=100V、TJ=125°C时最大值为2.0mA，虽然相较于硅PN结二极管仍偏高，但在肖特基器件中属于合理范围，并通过优化材料界面工艺加以抑制。此外，该器件不含铅和卤素，符合RoHS及绿色制造要求，适应全球环保法规趋势。综合来看，SBR20U100CT凭借其高电流能力、低损耗、快速响应和紧凑封装，成为现代高效电源设计中的关键元器件之一。
SBR20U100CT主要应用于各类需要高效、大电流整流功能的电源系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器、服务器电源和通信电源模块中，利用其中心抽头结构实现同步整流控制，显著提升转换效率。该器件也广泛用于DC-DC降压转换器，尤其是在多相同步整流架构中作为下管体二极管使用，提供快速续流路径，降低功耗并减少发热。
此外，SBR20U100CT可用于电机驱动电路中的箝位或保护二极管，吸收感性负载关断时产生的反电动势，防止电压尖峰损坏主开关器件。在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中，该器件可作为防反接或隔离二极管，保障系统安全运行。由于其表面贴装封装形式，特别适合高度自动化的SMT生产线，因此常见于计算机主板、显卡供电模块、网络交换机电源单元以及工业控制板卡等对空间和效率有严格要求的产品中。在汽车电子领域，尽管需进一步确认AEC-Q101认证情况，但其高温耐受能力使其有可能应用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块。总之，凡是需要低VF、快恢复、高电流密度特性的整流场合，SBR20U100CT都是一个极具竞争力的选择。
SR20U100C
SBRT20U100SP5
