您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NSHC333G16TRB2

NSHC333G16TRB2 发布时间 时间:2025/9/10 20:46:09 查看 阅读:18

NSHC333G16TRB2 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款高电压、高电流、高速度的双极型晶体管阵列。该器件由两个NPN晶体管组成,采用共集电极配置,适用于需要高电流驱动能力和高可靠性应用的电路设计。NSHC333G16TRB2广泛用于工业控制、电源管理、继电器驱动、电机控制、LED照明等场景中。

参数

类型:双极型晶体管阵列
  晶体管类型:2 x NPN
  集电极-发射极电压(Vce):100V
  集电极电流(Ic):每晶体管最大1.5A
  功耗(Pd):3W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:16引脚表面贴装(SMT)
  增益带宽积:100MHz(典型值)
  直流电流增益(hFE):在2mA时为100至800
  饱和电压(VCE(sat)):最大1.5V(在1.5A时)

特性

NSHC333G16TRB2具有多项出色的电气和物理特性,使其适用于多种高要求的应用场景。首先,该器件的高集电极-发射极电压(Vce)能力使其能够在高压环境中稳定运行,适用于高达100V的负载控制。其次,其每晶体管最大1.5A的集电极电流能力可以驱动高功率设备,如继电器、小型电机或LED灯串。此外,该器件的高速度特性(100MHz的增益带宽积)使其适用于高频开关应用,如PWM控制或高速逻辑转换。NSHC333G16TRB2还具备良好的热稳定性和抗静电能力,提高了在恶劣工业环境中的可靠性。其采用的16引脚表面贴装封装不仅节省空间,还便于自动化生产,提高了组装效率。此外,该器件具有低饱和电压(VCE(sat))特性,在高电流工作时能够减少功耗,从而降低温度升高,提高系统效率。NSHC333G16TRB2的工作温度范围广泛,从-55°C到+150°C,使其适用于各种极端环境下的应用。

应用

NSHC333G16TRB2 主要用于需要高电流和高压控制的应用,例如工业自动化系统中的继电器或电机驱动控制。它也可以用于电源管理系统,如DC-DC转换器、电池充电器或负载开关控制。在LED照明系统中,该器件可用于高亮度LED的开关或调光控制。此外,它还适用于通信设备中的信号放大和高速逻辑接口转换。在汽车电子系统中,NSHC333G16TRB2可用于控制车灯、风扇或电动车窗电机。由于其高可靠性和宽温度范围,该器件也适用于航空航天、医疗设备和测试仪器等高端应用。

替代型号

NSHC333G16TRB2 的替代型号包括TIP120、TIP122、ULN2003、ULN2004等。这些型号在某些应用场景中可以作为替代品,但需根据具体电路要求进行评估。

NSHC333G16TRB2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价