SBL1045CT 时间：2025/12/26 9:09:21 阅读：14

SBL1045CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的肖特基势垒二极管，采用TO-277B封装，属于双整流二极管模块。该器件专为高效率、高电流密度的电源应用而设计，尤其适用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器以及反向电压保护电路等场景。SBL1045CT集成了两个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极结构，能够有效减少PCB占用空间并提升功率密度。其低正向压降和快速恢复特性使其在高频工作条件下表现出色，有助于降低系统功耗并提高整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业控制、通信设备及消费类电子产品中广泛应用。

参数

类型：双整流二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：45V
　　最大直流阻断电压（VR）：45V
　　最大平均整流电流（IO）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向压降（VF）：0.57V @ 10A, 125°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 45V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装/包：TO-277B
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3

特性

SBL1045CT的核心优势在于其低正向导通压降与高效的热管理能力。该器件采用先进的肖特基势垒技术，使得在大电流负载下仍能保持较低的VF值（典型值约0.57V），显著减少了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。由于没有少数载流子的积累效应，SBL1045CT具备极快的开关响应速度，几乎无反向恢复时间（trr可忽略不计），因此特别适用于高频开关电源环境，如笔记本适配器、服务器电源模块和LED驱动电源等。这种无PN结的金属-半导体接触结构还避免了传统整流二极管中存在的反向恢复电荷问题，从而降低了电磁干扰（EMI）风险。
　　该器件采用TO-277B小型化表面贴装封装，具有优异的散热性能和机械强度。其内部结构优化了电流分布路径，提升了电流承载能力和长期运行稳定性。共阴极配置允许两个二极管并联使用以实现更高电流输出，或用于全波整流拓扑中简化外围电路设计。SBL1045CT支持回流焊工艺，兼容自动化生产流程，适用于高密度PCB布局。其宽泛的工作结温范围（-65°C至+150°C）确保了在极端环境下的可靠运行，适合工业级和汽车电子中的严苛应用场景。同时，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高，具备一定的车规级潜力。
　　在可靠性方面，SBL1045CT经过严格的制造质量控制，具备出色的抗热冲击和抗湿性能力。其封装材料具备良好的绝缘性能和耐候性，能够在高湿度、高温差循环等恶劣环境中稳定工作。此外，低寄生电感的设计也有助于抑制电压尖峰，增强系统安全性。总体而言，SBL1045CT是一款高性能、高集成度的功率肖特基二极管，兼顾效率、尺寸与可靠性，是现代高效电源设计中的理想选择之一。