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SQ4431EY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/4 3:08:03 查看 阅读:4

SQ4431EY-T1-GE3是一款基于硅技术的高效整流二极管,广泛应用于电源适配器、开关电源和电机驱动等场景。该型号以其卓越的反向恢复特性和低正向压降著称,适合高频开关应用。
  该二极管采用TO-252封装形式,具备出色的散热性能,能够承受较高的电流密度和电压应力。此外,其设计符合RoHS标准,确保环保合规性。

参数

最大反向电压:60V
  最大正向电流:3.0A
  正向电压:0.55V(典型值,@ If=1A)
  反向漏电流:10μA(最大值,@ VR=60V,Tj=25°C)
  结电容:30pF(典型值,@ Vr=0V,f=1MHz)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252

特性

SQ4431EY-T1-GE3的主要特点是低正向电压降和快速的反向恢复时间,这使得它非常适合于高频电路环境。
  它的快速反向恢复时间为80ns(典型值),从而显著降低了开关损耗,并提升了系统效率。
  此外,该器件采用了先进的工艺制造,确保了高可靠性和长寿命。在高温环境下依然表现出色,非常适合工业级应用需求。
  由于其低功耗和小型化设计,这款二极管成为便携式设备的理想选择。

应用

该二极管主要应用于消费类电子产品的开关电源中,例如笔记本电脑适配器、电视电源和音频设备电源。
  同时,也适用于工业控制领域中的电机驱动和逆变器电路。
  其他常见应用场景包括LED驱动电路、通信设备电源以及汽车电子系统的辅助电源部分。
  SQ4431EY-T1-GE3凭借其快速响应能力和高可靠性,能够满足多种复杂工况下的要求。

替代型号

SQ4430EY-T1-GE3
  SQ4432EY-T1-GE3
  MDD3060ET
  FR106

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SQ4431EY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1210pF @ 25V
  • 功率 - 最大6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)