CBTD3861BQ是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要高增益、高可靠性的电子电路中。该器件内部集成了两个NPN型晶体管,采用共射共集(Darlington)结构,能够提供较高的电流增益和驱动能力,适合用于功率放大、开关控制、电机驱动等应用场景。CBTD3861BQ采用TSSOP封装,具有体积小、功耗低、可靠性高等优点,广泛应用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品中。
晶体管类型:NPN Darlington对
集电极-发射极电压(Vce):100V
集电极电流(Ic):500mA
功耗(Pd):300mW
电流增益(hFE):10000(最小)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TSSOP
CBTD3861BQ具有多个显著的技术特性。首先,其采用Darlington配置的双晶体管结构,能够提供极高的电流增益(hFE最低为10000),使得该器件在微弱信号驱动下也能实现强大的输出能力,非常适合用于需要高灵敏度和高增益的场合。其次,每个晶体管的最大集电极电流可达500mA,集电极-发射极耐压为100V,具备较强的负载驱动能力和较高的电压承受能力,适用于中功率应用。此外,该器件的功耗仅为300mW,具有较低的功耗特性,适合用于对能效有要求的设计中。TSSOP封装形式不仅减小了PCB占用空间,还提高了散热性能和装配效率,使其适用于高密度电子系统。最后,CBTD3861BQ的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,确保了其在极端环境下的稳定运行,适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的领域。
CBTD3861BQ广泛应用于需要高增益、中等功率驱动能力的电子系统中。例如,在工业自动化控制系统中,它可以用于继电器、电磁阀、直流电机等负载的驱动电路中,提供稳定可靠的开关控制功能。在汽车电子领域,该器件可用于车灯控制模块、电动窗驱动电路以及车载传感器信号放大电路中。在消费类电子产品中,CBTD3861BQ常被用于音频放大电路、电源管理模块以及各种需要高增益放大的接口电路中。此外,由于其高集成度和小封装特性,也常用于打印机、扫描仪、机器人等设备中的电机或执行器控制电路。
ULN2003A, TIP120, BCX56-10, BD679