时间：2025/3/25 10:12:25
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MA0402XR181K250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Si 工艺，具备极低的导通电阻和快速的开关性能，适合用于 DC-DC 转换器、电源适配器、无线充电以及各种高频率电力电子系统中。
该型号中的参数含义如下：MA 表示制造商系列代号；0402 指的是封装形式（通常为 0402 英制尺寸）；XR181K 表示具体的产品特性代码；250 则表示耐压等级或最大工作电压。
类型：增强型场效应晶体管
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：4A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：30nC
反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件，无反向恢复问题）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
1. 极低的导通电阻，仅为 18mΩ，能够显著降低传导损耗。
2. 高速开关性能，其开关频率可以达到 MHz 级别，非常适合高频应用。
3. 内置保护功能，如过流保护和短路保护，增强了系统的可靠性。
4. 小尺寸封装（0402），有助于减少 PCB 占用空间并提高功率密度。
5. 不含铅且符合 RoHS 标准，满足环保要求。
6. 具备出色的热稳定性，在高温条件下仍能保持稳定的性能。
1. 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动汽车（EV）车载充电器：
3. 无线充电设备：
4. LED 驱动器：
5. 太阳能微型逆变器：
6. 数据中心供电模块：利用其高效性能提升整体能源利用率。
MA0402XR181K200
MA0402XR181K300
GA18P250T
