时间：2025/5/22 2:43:49
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IPP045N10N3G是英飞凌（Infineon）公司生产的MOSFET功率晶体管。该器件属于P沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装形式。它主要适用于高电压、大电流的开关应用场合，例如电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
IPP045N10N3G的设计特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而提高效率并降低功耗。同时，其快速开关特性和高雪崩能力也使其在恶劣环境下的性能更加可靠。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：-4.5A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：350mΩ
总功耗：17W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
IPP045N10N3G具备低导通电阻特性，能够在较高电流条件下减少功率损耗。此外，其出色的热稳定性使其能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。该器件还支持快速开关操作，有助于减少开关损耗。
IPP045N10N3G的高雪崩能量能力增强了其在突发短路或过载条件下的可靠性。这种能力对于需要长时间稳定运行的应用非常重要。另外，其优化的封装设计也有助于散热性能的提升。
IPP045N10N3G广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于直流-直流转换器、负载切换电路、逆变器以及各类电机驱动器中。由于其优异的电气特性和可靠性，该器件特别适合用于工业设备中的电源管理和控制模块。此外，它也可以用作通用功率开关，在家用电器、汽车电子及通信设备中有较多应用。
IPP045N10N_G, IRF9530, BUZ11
