NCE3080 时间：2025/6/26 12:15:52 阅读：44

NCE3080是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够显著降低传导损耗和开关损耗。NCE3080适用于各种电源管理场景，例如DC-DC转换器、同步整流电路以及电机驱动等。

参数

类型：N通道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：80V
　　最大漏极电流(ID)：14A（脉冲28A）
　　导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ（典型值，VGS=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：27nC
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220，DPAK

特性

NCE3080采用了沟槽工艺以优化其性能，具备超低的导通电阻RDS(on)，有助于提高系统效率并减少发热。
　　该器件支持高频操作，其低栅极电荷Qg使得开关速度更快，从而降低了开关损耗。
　　NCE3080还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在极端温度范围内保持稳定的电气性能。
　　此外，它具有较强的雪崩能力，可承受瞬态过压情况下的能量冲击，增强了整体耐用性。

应用

NCE3080广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
　　- 开关电源(SMPS)
　　- DC-DC转换器
　　- 同步整流电路
　　- 电机驱动与控制
　　- UPS不间断电源
　　- 充电器及适配器
　　凭借其高效的开关特性和耐高温能力，这款芯片在工业自动化、消费类电子产品和汽车电子领域都有出色表现。