NCE3080是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造,具有较低的导通电阻和栅极电荷,能够显著降低传导损耗和开关损耗。NCE3080适用于各种电源管理场景,例如DC-DC转换器、同步整流电路以及电机驱动等。
类型:N通道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS):80V
最大漏极电流(ID):14A(脉冲28A)
导通电阻(RDS(on)):1.6mΩ(典型值,VGS=10V时)
栅极电荷(Qg):27nC
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-220,DPAK
NCE3080采用了沟槽工艺以优化其性能,具备超低的导通电阻RDS(on),有助于提高系统效率并减少发热。
该器件支持高频操作,其低栅极电荷Qg使得开关速度更快,从而降低了开关损耗。
NCE3080还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在极端温度范围内保持稳定的电气性能。
此外,它具有较强的雪崩能力,可承受瞬态过压情况下的能量冲击,增强了整体耐用性。
NCE3080广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于:
- 开关电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 同步整流电路
- 电机驱动与控制
- UPS不间断电源
- 充电器及适配器
凭借其高效的开关特性和耐高温能力,这款芯片在工业自动化、消费类电子产品和汽车电子领域都有出色表现。
NCE3081, IRF3710, FDP140N08A