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W25M512JWBIQ TR 发布时间 时间:2025/8/20 7:14:34 查看 阅读:7

W25M512JWBIQ TR 是 Winbond 公司推出的一款高密度串行闪存芯片,属于 NOR Flash 存储器类别。该芯片采用 SPI(Serial Peripheral Interface)接口,适用于需要中高容量非易失性存储的应用场景。W25M512JWBIQ TR 的容量为 512Mbit(64MB),支持多种高性能操作模式,包括标准 SPI、双输出(Dual Output)、双入双出(Dual I/O)、四输出(Quad Output)和四入四出(Quad I/O)模式,使其在数据读取速度上表现优异。

参数

容量:512Mbit
  电压范围:1.65V - 3.6V
  接口类型:SPI
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:WSON(8 引脚)
  读取速度:最大 80MHz(标准 SPI)
  编程/擦除速度:页编程时间约 0.5ms,块擦除时间 20ms
  存储单元结构:256 字节/页,256 页/块,共 256 块

特性

W25M512JWBIQ TR 提供了多种高性能特性和功能,使其适用于广泛的嵌入式应用。
  首先,该芯片支持多种读取模式,包括标准 SPI、双输出(Dual Output)、双入双出(Dual I/O)、四输出(Quad Output)和四入四出(Quad I/O)模式,显著提高了数据传输速率,满足高速读取需求。
  其次,W25M512JWBIQ TR 集成了灵活的存储管理功能,例如按页(256 字节)编程和多种擦除操作(扇区擦除、块擦除和全片擦除),允许用户根据实际需求进行精细的数据管理。
  此外,该芯片内置写保护机制,支持硬件写保护和软件写保护,防止误写入或误擦除,提高数据可靠性。
  该芯片还支持 JEDEC 标准 ID 读取功能,便于系统识别存储器型号和制造商。
  最后,其低功耗设计和宽电压范围(1.65V 至 3.6V)使其适用于电池供电设备和各种工业控制系统。

应用

W25M512JWBIQ TR 广泛应用于需要中高容量非易失性存储的嵌入式系统中,例如 IoT 设备、智能电表、工业控制器、通信模块、穿戴设备和车载电子系统。由于其支持多种 SPI 操作模式,特别适合需要快速读取固件或数据的场合,如引导代码存储、固件更新、数据日志记录等应用场景。此外,其低功耗和宽温度范围特性也使其适用于户外设备和工业环境。

替代型号

IS25LP512M, MX25U51245G, S25FL512S

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W25M512JWBIQ TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥47.10317卷带(TR)
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页5ms
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)