类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极-基极电压：30V
　　最大基极电流：20mA
　　最大功耗：200mW
　　最大工作温度：150°C
　　过渡频率：250MHz
　　封装形式：SOT-23

SB830DC 具备多项优秀的电气特性和物理特性，使其适用于多种高频应用。首先，其过渡频率（fT）达到 250MHz，表明其在较高频率范围内仍能保持良好的增益性能，适用于射频放大器和开关电路。
　　其次，SB830DC 的最大集电极电流为 100mA，能够在相对较高的电流条件下工作，同时保持良好的热稳定性和可靠性。该晶体管的最大集电极-发射极电压为 30V，使其适用于中等功率应用。
　　此外，SB830DC 采用 SOT-23 封装，这种小型化封装不仅节省电路板空间，还提高了电路的集成度，适合便携式电子设备和高频通信设备的设计需求。
　　该晶体管还具有较低的噪声系数，适合用于低噪声放大器（LNA）中，从而提高接收器的信号灵敏度和整体系统性能。其快速的开关速度和良好的线性特性也使其适用于数字和模拟电路中的高速开关应用。
　　SB830DC 的制造工艺采用先进的硅外延平面技术，确保了其具有良好的热稳定性和长期工作的可靠性。同时，该器件具有较高的电流增益（hFE），能够在较小的基极电流驱动下实现较大的集电极电流输出，提高电路的效率。

SB830DC 广泛应用于多种高频电子设备和电路中，特别适合于射频（RF）和高速开关应用。其高频特性使其在射频放大器中发挥重要作用，可用于无线通信系统中的信号增强和传输。
　　该晶体管也常用于射频开关电路，由于其快速的响应时间和良好的线性特性，可以在高频条件下实现信号的高效切换。此外，SB830DC 在低噪声放大器（LNA）中表现出色，能够有效放大微弱信号而不引入过多噪声，提升接收器的灵敏度和信号质量。
　　SB830DC 也可用于高速数字电路中的开关元件，如高速逻辑电路、驱动器和缓冲器。由于其较小的封装和良好的性能，该晶体管在便携式电子产品和嵌入式系统中也有广泛应用。
　　另外，该器件还可用于音频放大器、振荡器和调制电路中，为各种模拟电路提供稳定可靠的性能。总之，SB830DC 在通信设备、消费电子产品、工业控制系统和射频模块中均有广泛应用。

BC847, 2N3904, 2SC3355