时间：2025/8/5 20:55:57
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IXBH40N140是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用，如工业电机控制、电源转换、焊接设备和逆变器等。这款MOSFET采用了先进的平面MOS技术，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能。该器件的封装形式为TO-264，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1400V
最大漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：0.27Ω
最大栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-264
功率耗散(Pd)：300W
IXBH40N140 MOSFET具有多项优异特性，首先是其高耐压能力，最大漏源电压可达1400V，使其适用于高电压环境下的功率转换和控制。其次，该器件的导通电阻较低，仅为0.27Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，最大功率耗散为300W，并且采用TO-264封装，便于与散热器连接，提高散热效率。
该器件还具有较高的电流承载能力，最大漏极电流为40A，在高负载条件下仍能保持稳定运行。栅极电压范围为±20V，适用于多种驱动电路设计。IXBH40N140的工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，可在恶劣环境中稳定工作。由于其优异的性能，该MOSFET广泛应用于工业电源、逆变器、焊接设备、电机控制以及不间断电源（UPS）系统中。
IXBH40N140 MOSFET主要应用于高功率电子系统，如工业电机驱动、高频电源转换器、逆变器、焊接设备、不间断电源（UPS）以及各种高电压、高电流的功率电子设备。其优异的电气特性和热管理能力使其在这些应用中表现出色，能够满足高效率和高可靠性的要求。
IXFH40N140, IXFH40N120, IRGP50B60PD1, FGH40N150
