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STP60NF06 发布时间 时间:2024/5/15 13:58:27 查看 阅读:235

STP60NF06是一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于低电压和高速开关应用。它是由STMicroelectronics公司生产的一种功率MOSFET。
  STP60NF06具有以下主要特点:
  1、低导通电阻:STP60NF06的导通电阻非常低,可以在高电流条件下实现低功耗操作。这使得它非常适合高效率功率开关应用。
  2、高电流能力:STP60NF06能够承受高达60安培的电流,使其适用于需要处理大电流的应用,如电机驱动、电源开关等。
  3、低输入电容:STP60NF06具有较低的输入电容,这使得它能够在高速开关应用中实现快速的开关速度和响应时间。
  4、高温工作能力:STP60NF06能够在高达175摄氏度的温度下工作,使其适用于高温环境和工业应用。
  5、极好的抗骗阻能力:STP60NF06具有优异的抗骗阻能力,可以有效地防止静电击穿和其他外界干扰,提高设备的可靠性和稳定性。
  STP60NF06广泛应用于各种功率开关应用领域,包括电机驱动、电源开关、照明控制、电动工具、电子设备等。它的高性能特点使得它成为工程师们在设计高效率和高性能电路时的首选组件之一。

参数和指标

1、额定电压(Vds):60V
  2、额定电流(Id):60A
  3、最大功耗(Pd):75W
  4、开关时间(ton/off):20/60 ns
  5、导通电阻(Rds(on)):0.02Ω
  6、静态电容(Ciss):1800pF
  7、工作温度范围(Tj):-55°C至150°C

技术要点

1、低导通电阻:STP60NF06具有较低的导通电阻,可以实现低功耗和高效率的电路设计。
  2、高耐压能力:STP60NF06的额定电压为60V,可以满足较高电压下的应用需求。
  3、快速开关速度:STP60NF06具有较短的开关时间,可以实现快速的开关操作。
  4、高温稳定性:STP60NF06的工作温度范围为-55°C至150°C,适用于高温环境下的工作。

设计流程

1、确定电路需求:根据电路设计需求选择合适的晶体管型号。
  2、电路分析:根据电路需求,分析晶体管的参数和指标,确保晶体管能满足电路需求。
  3、选型:选择符合要求的STP60NF06晶体管。
  4、电路设计:根据晶体管的工作原理和技术要点,设计合适的电路。
  5、电路仿真:使用电路仿真软件对设计的电路进行性能评估和优化。
  6、原理图设计:根据电路设计结果,绘制电路的原理图。
  7、PCB设计:将原理图转化为PCB布局,并进行布线。
  8、制造和测试:将设计好的PCB制造出来,并进行电气测试和性能验证。

注意事项

1、控制栅极电压:栅极电压应保持在阈值电压以上,以确保晶体管正常工作。
  2、防止过电流和过温:根据晶体管的额定电流和功耗,确保电路设计在正常工作范围内,避免过电流和过温。
  3、适当散热:对于高功耗的应用,需要考虑散热措施,以保持晶体管的正常工作温度。

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STP60NF06参数

  • 其它有关文件STP60NF06 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs73nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1660pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-2779-5