SB3012AP-T6 是一款由 Silicon Bridge Semiconductor(硅桥半导体)生产的高性能、低功耗的射频(RF)前端模块(FEM),主要用于Wi-Fi 6和Wi-Fi 6E应用。该模块集成了功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)以及射频开关,支持2.4GHz和5GHz双频段操作,适用于无线接入点、路由器、网关以及工业物联网(IIoT)设备。
工作频率:2.4GHz & 5GHz双频段支持
输出功率:2.4GHz频段最高可达25dBm,5GHz频段可达23dBm
接收增益:LNA模式下增益约15dB
电源电压:3.3V
封装类型:TQFN,12引脚
工作温度范围:-40°C至+85°C
SB3012AP-T6的主要特点之一是其高集成度,将PA、LNA和射频开关集成在一个紧凑的封装中,从而减少了PCB空间并降低了系统设计复杂度。该模块采用先进的SiGe和CMOS工艺制造,确保了在高频率下的稳定性能。在发射路径中,功率放大器提供高线性输出功率,并具备良好的能效,有助于延长设备的电池寿命并减少散热问题。在接收路径中,低噪声放大器提供高增益和低噪声系数,确保了接收灵敏度的优化。此外,模块内置的射频开关具有低插入损耗和高隔离度,确保发射和接收路径之间的信号隔离良好。SB3012AP-T6还支持多种Wi-Fi模式,包括802.11a/b/g/n/ac/ax标准,适用于Wi-Fi 6和Wi-Fi 6E设备。其封装尺寸小巧,便于集成到各种无线通信设备中。
该模块的设计还考虑了电磁干扰(EMI)和热管理问题,通过优化的布局和材料选择,保证在高功率运行时的稳定性。SB3012AP-T6还具备良好的ESD(静电放电)保护性能,增强了其在复杂电磁环境中的可靠性。对于需要高性能和低功耗的无线系统,SB3012AP-T6提供了出色的射频前端解决方案。
SB3012AP-T6广泛应用于支持Wi-Fi 6和Wi-Fi 6E的无线通信设备中,如家庭和企业级路由器、无线接入点(AP)、网关、智能家居设备以及工业物联网(IIoT)设备。此外,该模块也适用于需要双频段高性能射频前端的消费类和工业类无线产品。
Qorvo QPF4219, Skyworks SKY85702-11