类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
　　工作电压：8.0 V
　　反向关态电压（VRWM）：8.0 V
　　击穿电压（VBR）：最小9.5 V，最大11.1 V
　　钳位电压（VC）：最大20 V（在IEC 61000-4-2标准测试条件下）
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：16 A（8/20 μs波形）
　　电容（C）：典型值0.3 pF（在1 MHz条件下）
　　封装形式：SOD-882 或类似超小型表面贴装封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　保护线路数量：单向保护

ESDBL8V0Y1的核心特性之一是其极低的寄生电容，这使其适用于高速信号线路，不会引入显著的信号衰减或失真。该器件在正常工作条件下表现为开路状态，仅在电压超过其击穿阈值时迅速导通，将瞬态能量引导至地，从而保护下游电路。
　　此外，ESDBL8V0Y1具有快速响应时间，通常在皮秒级，能够有效应对静电放电（ESD）等突发性电压事件。其高可靠性设计使其能够承受多次高能量瞬态事件而不发生性能退化。
　　该TVS器件还具备低钳位电压的特点，这意味着在发生ESD事件时，它能够将电压限制在一个相对较低的水平，从而为敏感IC提供更安全的保护。此外，其紧凑的封装设计有助于节省PCB空间，适用于便携式设备和高密度电路板设计。

ESDBL8V0Y1广泛应用于需要静电放电保护的各类电子设备中，特别是在高速数据通信接口的保护方面表现出色。常见的应用包括USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网端口、音频/视频接口以及便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
　　此外，该器件也适用于工业控制系统、汽车电子模块和通信基础设施设备中的信号线路保护。由于其低电容和高速特性，ESDBL8V0Y1特别适合用于保护高速串行接口，确保数据传输的稳定性和完整性，同时提供强大的抗静电干扰能力。

ESD3V3Y1-02 | PESD5V0Y1BA | TVS27001Y