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BH25FB1WG-TR 发布时间 时间:2025/5/8 13:54:11 查看 阅读:23

BH25FB1WG-TR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景中。该芯片具备低导通电阻和高电流承载能力,同时优化了开关性能以减少能量损耗。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够有效提升散热性能,适用于需要高可靠性和大功率输出的应用环境。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):70A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):240W
  工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

BH25FB1WG-TR 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗,从而提高系统效率。
  2. 快速开关速度和优化的栅极电荷 (Qg),减少了开关过程中的能量损失。
  3. 高电流处理能力使其适合用于大功率应用场景。
  4. 内置雪崩击穿保护功能,提高了器件在异常条件下的可靠性。
  5. 封装设计具有良好的热性能,确保长时间稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,支持环保要求。

应用

BH25FB1WG-TR 广泛应用于多个领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流元件,提供高效功率转换。
  2. 电机驱动:适用于工业设备、家用电器以及电动车中的电机控制电路。
  3. 逆变器:用于光伏逆变器和其他类型的 AC/DC 或 DC/AC 转换设备。
  4. LED 驱动:为高功率 LED 照明系统提供稳定的电流输出。
  5. 充电器与适配器:改善充电效率并减少发热问题。

替代型号

IRF7739PBF, FDP078N06L, AO6812

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BH25FB1WG-TR参数

  • 特色产品CMOS LDO Regulators
  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - 线性
  • 系列-
  • 稳压器拓扑结构正,固定式
  • 输出电压2.5V
  • 输入电压最高 5.5V
  • 电压 - 压降(标准)0.25V @ 100mA
  • 稳压器数量1
  • 电流 - 输出150mA(最小值)
  • 电流 - 限制(最小)-
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线
  • 供应商设备封装5-SSOP
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BH25FB1WG-DKRBH25FB1WG-DKR-NDBH25FB1WGDKR