BH25FB1WG-TR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电力转换场景中。该芯片具备低导通电阻和高电流承载能力,同时优化了开关性能以减少能量损耗。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),能够有效提升散热性能,适用于需要高可靠性和大功率输出的应用环境。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):70A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):240W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
BH25FB1WG-TR 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗,从而提高系统效率。
2. 快速开关速度和优化的栅极电荷 (Qg),减少了开关过程中的能量损失。
3. 高电流处理能力使其适合用于大功率应用场景。
4. 内置雪崩击穿保护功能,提高了器件在异常条件下的可靠性。
5. 封装设计具有良好的热性能,确保长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,支持环保要求。
BH25FB1WG-TR 广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流元件,提供高效功率转换。
2. 电机驱动:适用于工业设备、家用电器以及电动车中的电机控制电路。
3. 逆变器:用于光伏逆变器和其他类型的 AC/DC 或 DC/AC 转换设备。
4. LED 驱动:为高功率 LED 照明系统提供稳定的电流输出。
5. 充电器与适配器:改善充电效率并减少发热问题。
IRF7739PBF, FDP078N06L, AO6812