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PQ1X401M2ZPH 发布时间 时间:2025/8/28 5:18:33 查看 阅读:9

PQ1X401M2ZPH是一款由Rohm(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET,适用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于电源转换器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等多种应用。PQ1X401M2ZPH采用小型化封装,适用于空间受限的设计,同时具备良好的电气性能和可靠性。

参数

类型:功率MOSFET
  沟道类型:N沟道
  漏极-源极电压(Vds):40V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):1.4A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):0.38Ω @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TSMT6(双栅极封装)
  安装方式:表面贴装
  技术:沟槽式MOSFET

特性

PQ1X401M2ZPH具备多项优良特性,适用于多种高效率功率应用。其低导通电阻(Rds(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET采用沟槽式结构,有助于优化导通性能并减少开关损耗,适合高频开关应用。该器件的栅极氧化层设计具有高可靠性,支持栅极电压高达±20V,增强了在高电压环境下的稳定性。
  此外,PQ1X401M2ZPH采用TSMT6封装,尺寸小巧,适用于空间受限的电路设计。该封装具备良好的散热性能,可在高负载条件下保持稳定运行。器件的表面贴装(SMD)封装形式也有助于简化PCB布局和自动化装配流程。
  该MOSFET具有优异的热稳定性,可在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。其双栅极结构设计可减少高频开关过程中的寄生振荡,从而提升整体系统稳定性。PQ1X401M2ZPH还具备较高的耐用性和抗干扰能力,能够承受一定的电压和电流冲击,适用于负载开关和电源管理模块。

应用

PQ1X401M2ZPH广泛应用于多种电源管理与功率转换系统。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电源适配器、LED驱动电路、手持设备电源管理模块以及工业自动化控制电路。由于其优异的高频性能和低导通电阻,该MOSFET也适用于高效率开关电源和电源分配系统。此外,在汽车电子领域,PQ1X401M2ZPH可用于车载充电系统、车身控制模块和LED照明驱动电路。

替代型号

Si2302DS、AO3400、2N7002、FDV301N、RQ401BN

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PQ1X401M2ZPH参数

  • 数据列表PQ1Xyy1M2ZPH Series
  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - 线性
  • 系列-
  • 稳压器拓扑结构正,固定式
  • 输出电压4V
  • 输入电压最高 9V
  • 电压 - 压降(标准)0.2V @ 150mA
  • 稳压器数量1
  • 电流 - 输出150mA(最小值)
  • 电流 - 限制(最小)180mA
  • 工作温度-30°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753
  • 供应商设备封装SOT-23-5
  • 包装带卷 (TR)