时间：2025/8/28 5:18:33
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PQ1X401M2ZPH是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源转换器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等多种应用。PQ1X401M2ZPH采用小型化封装，适用于空间受限的设计，同时具备良好的电气性能和可靠性。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
漏极-源极电压（Vds）：40V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：1.4A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSMT6（双栅极封装）
安装方式：表面贴装
技术：沟槽式MOSFET
PQ1X401M2ZPH具备多项优良特性，适用于多种高效率功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用沟槽式结构，有助于优化导通性能并减少开关损耗，适合高频开关应用。该器件的栅极氧化层设计具有高可靠性，支持栅极电压高达±20V，增强了在高电压环境下的稳定性。
此外，PQ1X401M2ZPH采用TSMT6封装，尺寸小巧，适用于空间受限的电路设计。该封装具备良好的散热性能，可在高负载条件下保持稳定运行。器件的表面贴装（SMD）封装形式也有助于简化PCB布局和自动化装配流程。
该MOSFET具有优异的热稳定性，可在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。其双栅极结构设计可减少高频开关过程中的寄生振荡，从而提升整体系统稳定性。PQ1X401M2ZPH还具备较高的耐用性和抗干扰能力，能够承受一定的电压和电流冲击，适用于负载开关和电源管理模块。
PQ1X401M2ZPH广泛应用于多种电源管理与功率转换系统。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源适配器、LED驱动电路、手持设备电源管理模块以及工业自动化控制电路。由于其优异的高频性能和低导通电阻，该MOSFET也适用于高效率开关电源和电源分配系统。此外，在汽车电子领域，PQ1X401M2ZPH可用于车载充电系统、车身控制模块和LED照明驱动电路。
Si2302DS、AO3400、2N7002、FDV301N、RQ401BN
