类型：P-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-4.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223

2SJ485-TL-E MOSFET具备多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件的最大漏源电压为-30V，能够满足多种中低压应用场景的需求。此外，其额定连续漏极电流为-4.3A，适用于较高功率要求的应用。2SJ485-TL-E采用了SOT-223封装，这种封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和高密度电路板布局。
　　这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在±20V范围内正常工作，增强了其在不同电路设计中的适应性。同时，该器件具有快速开关能力，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外围元件的尺寸并提升系统效率。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于较为严苛的环境条件。
　　值得一提的是，2SJ485-TL-E的功耗为1.5W，在正常工作条件下能够有效控制发热，从而延长使用寿命并提高系统稳定性。这种低功耗高效率的特性使其成为许多便携式电子设备和嵌入式系统中的理想选择。

2SJ485-TL-E MOSFET主要应用于各种电源管理和开关电路中。例如，在DC-DC转换器中，它可以用作高边开关，实现高效的电压转换。此外，它也常用于负载开关电路，用于控制电源的通断，适用于电池供电设备和移动设备中的电源管理模块。该器件还可用于电机驱动电路、LED驱动电路以及各类功率控制电路。由于其SOT-223封装体积小且散热良好，因此非常适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备等。
　　除了消费类电子产品，2SJ485-TL-E还可广泛应用于工业控制系统、通信设备和汽车电子系统中。在汽车电子领域，它可用于车载充电系统、LED照明控制以及车载电源管理模块。在工业应用中，该器件适用于自动化控制设备、传感器模块和嵌入式系统中的电源切换和功率调节。其宽温度范围和良好的热稳定性也使其能够在较为恶劣的工业环境中可靠运行。

Si2301DS, FDC6303, 2SJ355