您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > P8008BD

P8008BD 发布时间 时间:2025/6/6 10:23:27 查看 阅读:5

P8008BD是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,能够在高频应用中提供卓越的效率和可靠性。

参数

型号:P8008BD
  封装:TO-252
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):8A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):1.4W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

P8008BD的主要特点是其低导通电阻,这可以显著降低导通损耗并提高系统效率。此外,它具备快速开关性能,有助于减少开关损耗。器件还具有出色的热稳定性,在高温环境下能够保持可靠的运行。
  由于采用了先进的制造工艺,P8008BD在动态和静态特性上都表现出色,非常适合要求高效能和紧凑设计的应用场景。其小型化的TO-252封装也为PCB布局提供了更大的灵活性。

应用

该功率MOSFET适用于多种电力电子应用,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电池管理系统(BMS)
  - 电机控制与驱动
  - 负载开关及保护电路
  - 消费类电子产品中的电源管理单元
  P8008BD因其优异的电气性能和机械结构,成为许多现代电子设备的理想选择。

替代型号

P8008AD, IRF840, STP8NK60Z

P8008BD推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价