P8008BD是一款高性能的功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,能够在高频应用中提供卓越的效率和可靠性。
型号:P8008BD
封装:TO-252
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):1.4W
工作温度范围:-55℃至+150℃
P8008BD的主要特点是其低导通电阻,这可以显著降低导通损耗并提高系统效率。此外,它具备快速开关性能,有助于减少开关损耗。器件还具有出色的热稳定性,在高温环境下能够保持可靠的运行。
由于采用了先进的制造工艺,P8008BD在动态和静态特性上都表现出色,非常适合要求高效能和紧凑设计的应用场景。其小型化的TO-252封装也为PCB布局提供了更大的灵活性。
该功率MOSFET适用于多种电力电子应用,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电池管理系统(BMS)
- 电机控制与驱动
- 负载开关及保护电路
- 消费类电子产品中的电源管理单元
P8008BD因其优异的电气性能和机械结构,成为许多现代电子设备的理想选择。
P8008AD, IRF840, STP8NK60Z