时间：2025/9/20 1:34:41
阅读：7
SB20W03T是一款由Silan（士兰微电子）生产的N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，主要针对高效率开关电源应用而设计。该器件采用先进的平面格栅VDMOS工艺制造，结合了优良的开关特性和低导通电阻的优势，适用于多种电源转换场景。SB20W03T能够在高电压环境下稳定工作，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于AC-DC转换器、DC-DC变换器、适配器、充电器以及LED照明电源等设备中。该MOSFET封装形式为TO-220F或类似的通孔封装，便于散热和安装在散热片上，适合中等功率级别的应用需求。器件具有快速开关能力，有助于提升系统整体能效，并减少能量损耗。此外，SB20W03T还具备较高的雪崩能量承受能力和抗瞬态过压能力，增强了在恶劣工作环境下的耐用性。其引脚配置遵循标准三极结构（G、D、S），兼容大多数驱动电路设计，方便工程师进行电路替换与升级。作为一款性价比高的功率MOSFET，SB20W03T在国内电源市场中被广泛应用，尤其在消费类电子产品电源模块中有较高的使用率。
型号：SB20W03T
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：300V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A
脉冲漏极电流(Id,脉冲)：80A
功耗(Pd)：150W
导通电阻(Rds(on))：0.16Ω @ Vgs=10V
阈值电压(Vth)：3.0V ~ 5.0V
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
存储温度(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220F
SB20W03T采用了高性能的平面VDMOS技术，具备出色的电气性能和热稳定性。其核心优势之一是低导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下典型值仅为0.16Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体效率。这对于需要长时间运行且对能效要求较高的应用如开关电源和LED驱动尤为重要。该器件的漏源击穿电压高达300V，能够可靠地用于离线式反激变换器等直接连接市电的应用场合，确保在输入电压波动或瞬态过压情况下仍能保持正常工作。
该MOSFET具有较快的开关速度，上升时间和下降时间较短，有利于减小开关过程中的交越损耗，从而进一步提高转换效率并降低温升。同时，其栅极电荷Qg较低，意味着驱动电路所需的驱动功率较小，可配合简单的驱动芯片实现高效控制，降低系统复杂度和成本。此外，SB20W03T具备良好的热阻特性，通过TO-220F封装有效传导热量至外部散热器，保证长时间高负载运行时的可靠性。
器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在突发性电压尖峰或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其阈值电压范围合理（3.0V~5.0V），既能避免误触发，又能确保在常规驱动信号下充分导通。所有参数均经过严格测试，并符合工业级应用标准，适合批量生产使用。
SB20W03T广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管使用。它常见于手机充电器、笔记本电脑适配器、LCD显示器电源模块以及家用电器的内置电源单元中，承担能量转换的核心任务。由于其300V的耐压等级，特别适合用于单端反激式（Flyback）拓扑结构的离线电源设计，可以直接接入整流后的市电电压，在85V~265V交流输入范围内稳定工作。此外，该器件也适用于LED恒流驱动电源，帮助实现高效的直流输出和稳定的光照输出。
在工业控制领域，SB20W03T可用于小型逆变器、电机驱动辅助电源和智能电表电源模块中，提供可靠的功率切换功能。由于其封装形式为TO-220F，具备良好的散热性能，因此在没有强制风冷的自然对流环境中也能长期稳定运行。该器件还可用于UPS不间断电源、电池充电管理系统和光伏微逆变器等新能源相关产品中，满足对高效率和高可靠性的双重需求。凭借其优异的性价比和稳定的供货能力，SB20W03T已成为国内电源设计中的常用选型之一。
2SK3569
2SK3570
FQP20N30
STP20NM50FD
K20W03T
