时间：2025/6/17 0:04:49
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PSMN017-30PL 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用小尺寸的 LFPAK33（SOT1287）封装。该器件适合于需要高效能和低导通电阻的应用场景。其主要特点包括低 RDS(on) 和快速开关能力，能够有效减少功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：45A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：6nC
总电容：120pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
PSMN017-30PL 提供了非常低的导通电阻 (RDS(on))，这使其非常适合用于要求高效率的应用场合，例如 DC/DC 转换器、负载点转换器以及电池保护电路等。
此外，它的快速开关特性和低栅极电荷使得开关损耗得以最小化，在高频开关应用中表现尤为突出。
由于采用了 LFPAK33 封装，该器件还具备出色的热性能和较低的寄生电感，进一步增强了系统的稳定性和可靠性。
这款 MOSFET 还具有较高的雪崩能力和抗静电能力，从而提升了整体的耐用性。
PSMN017-30PL 主要应用于各种功率管理领域，包括但不限于以下方面：
1. 笔记本电脑和移动设备中的电源管理模块。
2. 高效 DC/DC 转换器设计。
3. 电机驱动和逆变器应用。
4. 电池管理和保护电路。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制单元。
PSMN019-30PL
PSMN022-30PL
