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S-80935CNPF-G85TFG 发布时间 时间:2025/7/8 11:08:26 查看 阅读:14

S-80935CNPF-G85TFG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等高功率应用领域。该器件采用了先进的沟槽式技术制造,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够显著提升系统的效率并降低发热。此外,它还具备快速开关特性以及优异的热性能,适用于要求苛刻的工业和汽车环境。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  输入电容(Ciss):4500pF
  总栅极电荷(Qg):95nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

S-80935CNPF-G85TFG具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 高额定电流Id,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关能力,可有效降低开关损耗。
  4. 采用坚固的封装设计,确保了在恶劣环境下的可靠性。
  5. 宽泛的工作温度范围,使其可以用于极端条件下的电子设备。
  6. 内置ESD保护功能,增强了芯片的鲁棒性。
  7. 符合RoHS标准,绿色环保无铅工艺。

应用

该款MOSFET芯片广泛应用于各类电力电子系统中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS),如AC/DC转换器、DC/DC变换器。
  2. 电机控制与驱动,例如电动车窗、电动座椅、泵浦驱动等。
  3. 电池管理系统(BMS),用于电动汽车或储能系统。
  4. 工业自动化设备中的电源模块。
  5. 太阳能微逆变器和其他新能源相关产品。
  6. LED照明驱动电路。
  其卓越的性能和稳定性使得它成为这些领域的理想选择。

替代型号

S-80935CPNF-G85TSG, IRF840A, STP120N06LL

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S-80935CNPF-G85TFG参数

  • 制造商Seiko Instruments
  • 监测电压数1
  • 输出类型Open Drain
  • 欠电压阈值3.43 V
  • 过电压阈值3.57 V
  • 工作电源电压0.7 V to 10 V
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装 / 箱体SNT-4A
  • 安装风格SMD/SMT
  • 人工复位No
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量5000
  • 监视器No