NDB505AE 时间：2025/8/24 16:14:31 阅读：18

NDB505AE是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中。这款MOSFET以其低导通电阻、高电流能力和高效率而著称，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TSOP

特性

NDB505AE具有多个关键特性，使其成为高性能电源管理应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件能够承受高达5A的连续漏极电流，适用于中等功率应用。NDB505AE的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的逻辑电平控制，便于与各种控制器和驱动器兼容。
　　该MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了高可靠性和稳定性。其TSOP封装形式不仅体积小巧，还具备良好的热性能，有助于在高负载条件下有效散热。此外，NDB505AE的高雪崩能量耐受能力使其在突发负载或电感负载切换时具备更强的鲁棒性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。