BAT62-02L 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的双P沟道增强型MOSFET场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术,提供高性能和低导通电阻,适用于广泛的电源管理应用。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):3.8A
导通电阻(Rds(on)):52mΩ @ Vgs = 4.5V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TSOP
BAT62-02L 具备多项出色的电气特性和设计优势。其主要特性包括:
1. **高效率**:由于采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,BAT62-02L在导通状态下具有极低的Rds(on),从而显著减少了功率损耗并提高了整体系统的能效。
2. **紧凑封装**:该器件采用小型TSOP封装,不仅节省了PCB空间,还便于集成到高密度电路板中,特别适合对尺寸敏感的应用场景。
3. **过温保护功能**:内置的热关断机制可以有效防止因异常工况导致的设备损坏,确保系统稳定运行。
4. **宽工作温度范围**:支持从-55°C到+150°C的工作环境,适用于恶劣条件下的工业及汽车电子设备。
5. **高可靠性**:英飞凌在制造过程中采用了严格的质量控制标准,确保了这款MOSFET具备较长的使用寿命和优异的长期稳定性。
6. **快速开关能力**:由于较低的输入电容与输出电容,BAT62-02L能够在高频条件下保持良好的响应性能,非常适合用于DC-DC转换器等高速切换场合。
7. **静电放电防护**:集成了强大的ESD保护结构,可承受高达±2kV的人体模型静电放电而不受损。
BAT62-02L 广泛应用于以下领域:
1. **便携式电子产品**:如智能手机、平板电脑以及各类手持式智能设备中的电池管理系统或负载开关控制模块。
2. **电源转换器**:包括同步整流型降压/升压变换器、隔离式反激拓扑结构等高效能电力供应解决方案。
3. **马达驱动电路**:为小型直流电机或者步进电机提供精确的速度调节与方向切换功能。
4. **LED照明控制系统**:作为恒流源开关元件实现亮度级别的精细调整。
5. **工业自动化装置**:涵盖PLC控制器、传感器信号调理单元以及其他需要可靠固态开关组件的场合。
6. **汽车电子系统**:例如车载娱乐信息系统、车身控制模块以及新能源车辆的动力总成部分。
Si3442DV, NTR1P02XN, FDN340P