SAYRF1G95HQ0F0A 是一款高性能射频功率晶体管,专为无线通信基础设施中的线性功率放大器应用而设计。该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术制造,提供卓越的效率和增益性能,同时保持高可靠性。其优化的设计使其能够满足现代通信系统对高输出功率和线性度的要求。
型号:SAYRF1G95HQ0F0A
类型:射频功率晶体管
工艺:LDMOS
频率范围:700 MHz 至 3000 MHz
输出功率:50 W(典型值)
增益:12 dB(典型值)
效率:45%(典型值)
工作电压:28 V
封装形式:陶瓷法兰封装
SAYRF1G95HQ0F0A 具备以下显著特性:
1. 高输出功率和高效率,适合于需要大功率输出的应用场景。
2. 优异的线性度和增益,确保在复杂的调制信号下仍能保持良好的信号完整性。
3. 内置栅极保护电路,增强器件的鲁棒性和可靠性,避免因不当操作导致损坏。
4. 宽频带覆盖能力,适用于多种通信标准和频段,包括 LTE、WCDMA 和 GSM 等。
5. 紧凑的陶瓷法兰封装,便于集成到射频功率放大器模块中,同时具有良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且符合国际法规要求。
SAYRF1G95HQ0F0A 主要应用于以下领域:
1. 基站射频功率放大器,用于提升信号覆盖范围和通信质量。
2. 固定无线接入设备,为偏远地区提供高速互联网连接。
3. 测试与测量设备,如信号发生器和频谱分析仪中的功率放大模块。
4. 工业、科学和医疗(ISM)领域的射频能量应用,例如射频加热和等离子体激发。
5. 航空航天和国防领域中的通信和雷达系统。
SAYRF1G95HP0F0A, SAYRF1G95HJ0F0A