时间：2025/5/26 14:12:58
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GA1206A820KBBBT31G 是一款高性能的 MOSFET 场效应晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等电力电子领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，适合需要高频开关和低功耗的应用场景。
其封装形式为 TO-252(DPAK)，能够提供出色的散热性能，并且在电气特性和可靠性方面表现出色。
型号：GA1206A820KBBBT31G
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：20mΩ
Id（持续漏极电流）：49A
Qg（栅极电荷）：35nC
Vgs（栅源极电压）：±20V
fT（截止频率）：2.3MHz
封装：TO-252 (DPAK)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
GA1206A820KBBBT31G 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力（Id=49A），适用于大功率应用。
3. 快速开关速度，有助于提升系统效率并减少电磁干扰。
4. 较高的 Vds 和 Vgs 额定值确保了在不同应用场景下的稳定运行。
5. 采用 TO-252 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。
6. 广泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种恶劣环境。
该 MOSFET 器件适用于以下典型应用：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 电机驱动控制器中的功率级电路。
3. DC-DC 转换器的主开关元件。
4. 各类电池管理系统中的负载开关。
5. LED 驱动器中的功率开关元件。
6. 保护电路如过流保护、短路保护等。
GA1206A820KBBBT31G, IRFZ44N, FDP5800, STP55NF06L
