时间：2025/4/28 16:15:48
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SAT01N24AMA是一款N沟道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，使其非常适合用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
该器件的封装形式通常为SOT-23，这使得它非常适用于空间受限的设计场景。
最大漏源电压：24V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻：1.65Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：7nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=18ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
SAT01N24AMA的主要特性包括：
1. 高效的开关性能，适合DC-DC转换器、负载开关等应用。
2. 低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。
3. 小型化的SOT-23封装，适合紧凑型设计。
4. 良好的热稳定性，能够适应宽泛的工作温度范围。
5. 提供了稳健的ESD保护功能，增强了器件的可靠性。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的电源管理模块。
2. 工业自动化和控制系统中的开关电路。
3. 通信设备中的信号调节和功率分配。
4. 各种便携式设备的电池管理方案。
5. DC-DC转换器、电机驱动器和LED驱动电路中作为开关元件使用。
AO3400A
FDS6670
IRLML6402
SI2302DS
