类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益（hFE）：在Ic=2 mA时，hFE=110-800（分不同等级）
　　特征频率（fT）：250 MHz（典型值）

MUN5214T1G 具备出色的高频性能，特征频率（fT）可达250 MHz，适用于射频和中频放大电路。其高增益特性使得在低噪声放大器设计中表现出色，能够有效提升信号增益。此外，该晶体管的hFE（电流增益）范围较宽，分为多个等级（如hFE=110-800），用户可以根据具体应用需求选择合适的等级，提高设计灵活性。器件采用SOT-23封装，体积小、重量轻，便于在紧凑的电路布局中使用，并具备良好的热稳定性和可靠性。MUN5214T1G的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于各种环境条件下的电子设备。
　　另外，该晶体管具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于减少功率损耗，提高能效。其低噪声系数（NF）使其在低噪声放大器中表现优异，特别适合用于通信系统中的信号接收端。MUN5214T1G 还具备良好的线性度，在模拟电路中可以减少失真，提高信号质量。同时，该器件的制造工艺成熟，具有较高的稳定性和一致性，适合大批量生产应用。

MUN5214T1G 主要应用于射频（RF）放大器、中频放大器、低噪声放大器、开关电路、振荡器、混频器、调制解调电路以及各种通用模拟电路中。由于其高增益和高频率特性，该晶体管常用于无线通信设备、音频放大器、传感器信号调理电路、便携式电子设备以及工业控制系统的模拟信号处理部分。

BC547, 2N3904, MMBF5214