类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　

SA85A B0G具备多项优异的电气和热性能特性。首先，该器件的导通电阻非常低，典型值为8.5mΩ，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，其最大漏源电压为30V，栅源电压可达±20V，提供了较高的电压容忍度和稳定性。
　　SA85A B0G采用先进的沟槽式MOSFET技术，不仅提高了器件的开关速度，还增强了其在高负载条件下的可靠性。其快速的开关性能可以显著减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合在空间受限的设计中使用。同时，这种封装形式也提高了器件在高电流条件下的稳定性和可靠性。
　　此外，SA85A B0G的工作温度范围为-55°C至175°C，表明其在极端温度条件下仍能保持稳定的工作状态，适用于工业级应用环境。

SA85A B0G广泛应用于多个领域，尤其是在需要高效率和高性能功率管理的场合。常见的应用包括DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机驱动电路以及电池供电设备等。
　　在DC-DC转换器中，SA85A B0G的低导通电阻和快速开关特性能够显著提升转换效率，并减少能量损耗。在负载开关或电源开关应用中，该器件可以实现快速的通断控制，并具有良好的热稳定性，确保系统的安全运行。
　　此外，SA85A B0G也适用于各种工业自动化设备和消费类电子产品，例如UPS不间断电源、服务器电源、电动工具、无人机电源系统等。其紧凑的封装设计使其特别适合空间受限的应用场景。

STL85N3LLH5, IPW60R008SJ, FDS8878