时间：2025/6/21 12:48:00
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WVM4N60是一款高压MOSFET晶体管，采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。其高耐压特性（600V）和低导通电阻使其在功率转换应用中表现出色。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，具备快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于提高效率并减少开关损耗。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：38nC
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-252
WVM4N60具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，能够承受高达600V的漏源电压，适用于高压环境下的电路设计。
2. 导通电阻低至1.3Ω，在大电流应用中减少了功率损耗。
3. 快速开关性能，栅极电荷仅为38nC，适合高频开关应用。
4. 工作温度范围广，从-55℃到175℃，适应各种恶劣环境条件。
5. 具备较高的雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
WVM4N60广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的逆变器或斩波器。
3. DC-DC转换器中的同步整流和高频开关。
4. 电磁阀控制和负载切换。
5. 能量存储系统中的充放电管理电路。
IRF640,
FQP17N60,
STP17NF60
