时间：2025/6/20 23:38:57
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SI4906DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于各种开关应用。这款 MOSFET 的封装形式为 Thermally Enhanced PowerPAK SO-8，具备出色的散热性能。
SI4906DY-T1-E3 主要用于需要高效率、快速开关和低损耗的应用场景，例如 DC/DC 转换器、负载点转换器（POL）、同步整流器以及电机驱动等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：76nC
总电容：1240pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI4906DY-T1-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用。
3. 采用先进的 TrenchFET 第三代技术，能够实现更高的功率密度。
4. 高度可靠的封装设计，确保长期稳定运行。
5. 支持高工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应多种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
这些特性使得 SI4906DY-T1-E3 成为高效电源管理应用的理想选择。
SI4906DY-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
2. 同步整流器和降压/升压转换器。
3. 电池管理和保护电路。
4. 工业电机驱动和控制。
5. 通信设备中的负载点转换器。
6. 消费电子产品的电源适配器和充电器。
其卓越的性能和可靠性使它成为众多高性能电力电子应用的关键组件。
SI4908DY, IRFZ44N, FDP5800
