类型：肖特基二极管
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：140V
　　最大直流阻断电压（VR）：140V
　　最大平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半波）
　　最大正向电压降（VF）：0.85V @ 1.0A（典型值约为0.8V）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 140V（25°C环境温度）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻抗（RθJA）：约150°C/W（依PCB布局而定）
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于10ns（肖特基二极管无少子存储效应）

B140B作为一款高性能肖特基势垒二极管，具备多项关键特性，使其在众多整流与开关应用中表现出色。首先，其最大重复峰值反向电压达到140V，能够在中高压环境中可靠工作，适用于多种通用整流场景。相比传统PN结二极管，B140B具有显著更低的正向导通压降，典型值仅为0.8V左右，在1A电流下功耗远低于普通整流管，从而有效提升系统能效并减少散热需求。
　　其次，由于肖特基结构基于金属-半导体接触而非P-N结，不存在少子存储效应，因此反向恢复时间极短，通常小于10纳秒。这一特性使B140B特别适合高频开关电源应用，例如在DC-DC变换器、开关模式电源（SMPS）和续流/箝位电路中使用时，可大幅降低开关损耗，抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）。此外，快速响应能力也增强了系统的动态稳定性。
　　B140B采用SMA小型表面贴装封装，体积紧凑，便于自动化贴片生产，适用于高密度PCB布局。其工作结温范围宽达-65°C至+175°C，表明该器件不仅能在严苛温度条件下稳定运行，还具备出色的热可靠性。同时，器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等，确保长期使用的耐久性。
　　该二极管还具备良好的抗浪涌能力，峰值正向浪涌电流可达30A（标准8.3ms单半波测试条件），可在瞬态过载或启动冲击下提供一定保护。结合低漏电流（典型值0.1mA@140V），即使在高温环境下也能维持较低的静态功耗，提升整体系统效率。综上所述，B140B凭借其低压降、高速度、高可靠性和紧凑封装，成为现代电力电子设计中的优选器件之一。

B140B因其优异的电气性能和封装特性，广泛应用于多种电子系统和电路设计中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作输出整流二极管，尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，利用其低正向压降和快速恢复特性来提高转换效率并降低温升。此外，在DC-DC降压或升压转换器中，B140B可用作续流二极管（Freewheeling Diode）或防倒灌二极管，防止电感反电动势损坏主控芯片，同时减少能量损耗。
　　在AC-DC适配器、充电器和LED照明驱动电源中，B140B也发挥着重要作用。例如，在次级侧整流环节中替代传统的1N4007等慢速二极管，能够显著提升轻载和满载下的整体效率，并满足能源之星等能效认证要求。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化生产和小型化产品设计，常见于手机充电器、路由器电源模块和智能插座等消费类电子产品。
　　工业控制领域中，B140B可用于继电器驱动电路中的反向电动势吸收二极管（钳位二极管），保护晶体管或MOSFET免受感应电压击穿。在逆变器和UPS电源系统中，它也可作为辅助电源的整流元件。此外，在太阳能充电控制器、电池管理系统（BMS）和便携式设备电源管理单元中，B140B凭借其低漏电流和高效率表现，有助于延长电池续航时间。
　　值得一提的是，B140B还可用于信号隔离、电压采样保持电路以及多电源选择中的隔离二极管（OR-ing Diode），避免电源回灌。综合来看，该器件适用于所有需要高效、快速、可靠整流功能的中低功率应用场景。

B140BW-13-F
　　MBR140
　　SS14
　　SB140
　　VS140B-M3/H