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RJ5G16-030 发布时间 时间:2025/6/6 9:01:50 查看 阅读:5

RJ5G16-030是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用N沟道技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。其封装形式通常为TO-220,便于散热和安装。
  该MOSFET适合于需要高效能和可靠性的工业及消费类电子产品中,广泛应用于各种负载切换和功率调节场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:4.5mΩ
  总栅极电荷:85nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

RJ5G16-030的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(4.5mΩ),有助于减少导通损耗,从而提高整体效率。
  2. 高额定电流能力(30A),支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,减少了开关损耗。
  4. 具备出色的热稳定性和耐用性,能够在极端温度条件下正常运行。
  5. 内置反向二极管,可实现更高效的整流功能。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

RJ5G16-030适用于以下应用领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 各种电机驱动电路中的功率开关。
  3. DC-DC转换器中的同步整流元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  6. 消费类电子产品的电源管理单元。
  这款MOSFET凭借其优异的性能,在这些应用中表现出卓越的可靠性和效率。

替代型号

RJ5G16-025, IRF540N, FDP16N6L

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