时间：2025/4/30 19:52:05
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S5D2701X01-T0RN 是一款由三星（Samsung）推出的高性能、低功耗的 NAND 闪存芯片，广泛应用于消费电子设备中。该型号采用先进的制程工艺制造，具备高可靠性和快速的数据传输能力，主要用于存储大容量数据。
该芯片属于 Samsung 的 V-NAND 系列，利用垂直堆叠技术提高了存储密度，同时降低了功耗并提升了性能。
类型：NAND Flash
容量：256GB
接口：Toggle DDR 2.0
封装形式：BGA
工作电压：1.8V
制程工艺：48层 3D V-NAND
数据传输速率：最高400MB/s
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
S5D2701X01-T0RN 提供了卓越的存储性能和可靠性，主要特性如下：
1. 高容量存储：采用 3D V-NAND 技术，在有限的空间内实现更高的存储密度。
2. 快速数据传输：支持 Toggle DDR 2.0 接口协议，提供高达 400MB/s 的数据传输速度。
3. 超低功耗设计：通过优化的电路设计和先进的制程工艺，显著降低运行时的能耗。
4. 广泛的工作温度范围：适应各种环境条件，确保在极端温度下仍能稳定工作。
5. 高可靠性：内置 ECC（错误检查与纠正）功能，保证数据完整性。
6. 小型化封装：采用 BGA 封装形式，适合紧凑型设计需求。
S5D2701X01-T0RN 主要应用于以下领域：
1. 固态硬盘 (SSD)：
- 提供大容量存储空间，用于企业级和消费级 SSD。
2. 智能手机和平板电脑：
- 内嵌于移动设备中，用作内部存储介质。
3. 数码相机和摄像机：
- 存储高质量图片和视频文件。
4. 工业设备：
- 在工业控制和自动化系统中作为数据记录和存储单元。
5. 嵌入式系统：
- 应用于需要大容量存储但对体积要求严格的场景。
S5D2702X01-T0RN, S5D3701X01-T0RN
