类型：N沟道
　　最大漏极电流：15A
　　最大漏源电压：900V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω
　　栅极电压范围：±30V
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220

2SK196H具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）为0.45Ω，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在高电流负载下，低Rds(on)还能降低发热，提升整体稳定性。
　　其次，2SK196H的最大漏源电压（Vds）为900V，具备较高的耐压能力，适用于高电压环境下的开关操作，如AC/DC电源转换器和高压电机控制电路。
　　此外，该MOSFET的最大漏极电流为15A，能够在较高负载条件下稳定运行。其TO-220封装形式具备良好的散热性能，有助于维持器件在连续工作时的温度稳定。
　　该器件还具有快速开关特性，适用于高频应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，并提高系统的动态响应能力。
　　最后，2SK196H的工作温度范围为-55℃至150℃，适应性强，能够在极端温度条件下保持稳定运行，适用于工业控制、消费类电子以及车载电子等多种应用场景。

2SK196H广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明系统以及电池管理系统等。
　　在开关电源中，该器件可用于高频变压器驱动和整流电路，其高耐压能力和低导通电阻使其在AC/DC转换中表现优异。在DC-DC转换器中，2SK196H可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效的能量转换能力。
　　此外，该MOSFET也适用于电机控制电路，例如在无刷直流电机（BLDC）驱动器中作为功率开关，实现精确的速度和扭矩控制。
　　在照明系统方面，2SK196H可用于LED驱动器和高频荧光灯镇流器，其快速开关特性有助于提高光效并减少能耗。
　　由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围，该器件也常用于工业自动化设备和车载电子系统，如车载充电器和逆变器。

2SK2142, 2SK2545, IRF840, IRF740