WSD495 时间：2025/8/16 19:04:29 阅读：24

WSD495 是一款由无锡芯导微电子股份有限公司（Corebai Technology）推出的高性能、低功耗的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽栅（Trench MOSFET）工艺制造，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关以及各类高效能电源应用。WSD495的封装形式为DFN5x6（双扁平无引脚封装），具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.9mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：DFN5x6
　　功率耗散（PD）：3.5W

特性

WSD495 MOSFET采用了先进的沟槽工艺技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，从而有效降低导通损耗和开关损耗，提高系统效率。
　　其4.9mΩ的RDS(on)值在10V栅极驱动电压下表现尤为出色，适用于要求高效率和低发热的电源系统设计。
　　该器件的DFN5x6封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理性能，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，WSD495具有较高的雪崩耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持可靠工作，增强了系统的稳定性与耐用性。
　　其栅极驱动电压范围宽达±20V，兼容多种驱动电路设计，提高了在不同应用场景中的适应性。
　　综合来看，WSD495是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于对效率和空间有较高要求的现代电源系统。

应用

WSD495广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业电源、通信设备电源、服务器电源以及消费类电子产品中的高效能电源模块。
　　其低导通电阻和优异的热性能使其特别适合于高效率、高功率密度的设计需求。
　　此外，该器件还可用于电机驱动、电源管理IC（PMIC）的外围开关元件，以及各类需要快速开关和低损耗特性的电路中。