类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-100mA
　　最大漏-源电压（VDS）：-50V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.5Ω @ VGS = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

3SK321ZX-TL具有多项优异的电气特性和物理特性，使其在各类电子应用中表现出色。首先，其P沟道结构和增强型设计使得器件在关闭状态下漏极电流非常小，从而有效降低静态功耗。
　　其次，该MOSFET的导通电阻较低，能够在较小的电压驱动下实现较高的电流传输效率，适用于电池供电设备和低功耗系统。
　　此外，3SK321ZX-TL的最大漏极电压达到-50V，具备较强的电压耐受能力，适用于多种中低压应用场景。
　　该器件的SOT-23封装不仅节省空间，还提高了散热性能，确保在高密度电路设计中仍能保持稳定工作。
　　最后，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ +150°C）使其能够在恶劣的环境条件下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等严苛应用领域。

3SK321ZX-TL广泛应用于多种电子系统和设备中，主要包括：
　　1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、负载开关、电池充放电控制电路等，利用其低导通电阻和高效率特性提升整体能效。
　　2. 信号切换与逻辑控制：用于数字电路中的信号路径选择、电平转换以及开关控制。
　　3. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，得益于其小封装和低功耗特性。
　　4. 工业自动化与控制系统：用于继电器替代、传感器信号控制、小型电机驱动等场景。
　　5. 汽车电子：适用于车载电源管理、照明控制、车载娱乐系统等对可靠性和稳定性要求较高的应用。

2N3906, BC846, BSS84