齐纳电压：3.3V
　　容差：±5%
　　最大齐纳电流：200mA
　　最大功耗：500mW
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　封装类型：DO-35（玻璃封装）

1N5261C 的核心特性是其稳定的齐纳击穿电压，能够在反向偏置条件下提供精确的电压调节。其击穿电压为 3.3V，适用于低电压稳压应用。该器件具有良好的温度稳定性和重复性，可在宽温度范围内保持稳定的电压输出。此外，1N5261C 的功耗较低，适合用于小型电子设备中的稳压电路。该齐纳二极管的响应速度快，能够迅速调节电压波动，适用于需要快速响应的电路系统。其 DO-35 封装结构紧凑，便于在 PCB 板上安装和布局，同时具有良好的散热性能。由于其精确的电压特性和可靠性，1N5261C 被广泛用于电源管理、信号处理、仪表测量和保护电路中。
　　在实际应用中，1N5261C 可以作为电压参考源，用于运算放大器、比较器或 ADC/DAC 芯片的基准电压输入。其齐纳电压容差为 ±5%，确保在不同工作条件下仍能提供稳定的电压输出。此外，该器件具有较低的动态阻抗，有助于减小电压波动和噪声干扰，提高系统的整体稳定性。由于其良好的电气性能和广泛的应用范围，1N5261C 成为电子工程师在低电压稳压设计中的常用选择。

1N5261C 主要应用于需要稳定 3.3V 电压的电路中，例如电源稳压、电池管理系统、嵌入式控制系统、仪表电压基准、模拟信号调节等场景。此外，该器件也可用于过压保护电路，防止敏感电子元件因电压过高而损坏。在数字和模拟电路中，1N5261C 常被用作比较器的参考电压源，以提高电路的精度和稳定性。它还适用于低功耗传感器接口、电压检测电路以及 LED 驱动电路等应用场合。

1N5226B, 1N4728A, BZX84-C3V3