时间：2025/12/24 17:42:21
阅读：33
S43100 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术和优化的芯片设计，以实现低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力。S43100 属于N沟道增强型MOSFET，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关等高功率场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：160A（在Tc=25℃）
最大脉冲漏极电流(Idm)：500A
导通电阻(Rds(on))：最大值为1.8mΩ（典型值为1.4mΩ，Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：PowerFLAT 5x6 mm2 或 TO-220
热阻(Rth)：结至壳热阻约0.35°C/W
S43100 MOSFET 具备多项卓越特性，包括极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。
其先进的沟槽栅技术优化了电场分布，提高了器件的雪崩耐受能力，增强了系统的可靠性和耐用性。
该器件的高电流处理能力使其能够在高功率密度设计中表现出色，适用于高电流负载的开关控制。
此外，S43100 的封装形式（如PowerFLAT）具有良好的热管理和小型化设计，适合空间受限的应用场合。
该MOSFET还具备良好的抗短路能力，可在极端工作条件下提供额外的安全保障。
其高栅极电荷（Qg）优化设计，使得在高频开关应用中仍能保持较低的开关损耗，从而提升整体性能。
S43100 主要应用于需要高效率和大电流处理能力的电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统等。
它也常用于工业自动化设备、电动车电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及高性能计算机的电源供应单元。
此外，S43100 还适用于电动工具、无人机、机器人等对功率器件性能要求较高的消费类和工业产品中。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动电路等应用场景。
STL160N3LLH7AG, IRF160N30D, IPW90R015C7, IPP160N30N3G, S43105
