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TPR431B-S3TR 发布时间 时间:2025/4/29 11:52:14 查看 阅读:2

TPR431B-S3TR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 SOT-23 封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种便携式设备、消费类电子产品的电源管理应用。TPR431B-S3TR 的设计使其能够在高频开关条件下保持高效率和低损耗。
  TPR431B-S3TR 的典型应用场景包括负载开关、同步整流、DC-DC 转换器以及电池保护电路等。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻(典型值):170mΩ
  总栅极电荷:6nC
  开关时间:开启延迟时间 8ns,关断下降时间 12ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

TPR431B-S3TR 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用,减少开关损耗。
  3. 小型化封装(SOT-23),节省 PCB 空间,适合便携式设备。
  4. 较高的漏极电流能力,在有限的空间内提供更强的负载驱动能力。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在各种环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  TPR431B-S3TR 的这些特点使得其成为高效电源管理和信号切换的理想选择。

应用

TPR431B-S3TR 广泛应用于以下领域:
  1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
  2. 同步整流电路,用于提升 DC-DC 转换器的效率。
  3. 电池管理系统中的保护电路,防止过流或短路。
  4. 小型化 DC-DC 转换器模块。
  5. LED 驱动电路中的开关元件。
  6. 一般性低压逻辑兼容开关应用。
  由于其出色的电气性能和紧凑的封装形式,TPR431B-S3TR 成为许多需要高效能与小体积解决方案的首选元件。

替代型号

TPR431A-S3TR, TPR431C-S3TR

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