STW32N65M5 时间：2025/7/22 7:47:15 阅读：8

STW32N65M5 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的MDmesh M5技术，具有低导通电阻、高耐压和出色的热性能，适合用于高效率电源、电机控制、DC-DC转换器、工业电源和电动汽车充电系统等高性能应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：32A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大80mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：典型值50nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

STW32N65M5 具备多项先进的技术特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，它采用了MDmesh M5技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体系统效率。其次，该MOSFET具有极低的Rds(on)，在高电流应用中减少了功率损耗，提升了热管理性能。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力环境下的可靠性。其优化的栅极设计也减少了开关过程中的能量消耗，提高了动态性能。最后，TO-247封装提供了良好的散热能力，适合高功率密度设计。
　　STW32N65M5 还具备优异的短路耐受能力和高温稳定性，适用于对可靠性要求极高的工业和汽车应用。该器件的快速开关特性使其在高频开关电源中表现出色，同时保持较低的电磁干扰（EMI）。这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于设计的功率开关解决方案。

应用

STW32N65M5 主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。常见用途包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电机驱动器、DC-DC转换器以及各种类型的功率因数校正（PFC）电路。由于其高耐压和大电流能力，该器件也非常适合用于工业自动化设备和电焊机等高功率设备的电源模块设计中。