时间：2025/11/3 14:00:42
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S25FL512SAGBHID10 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的 512Mb（64MB）串行 NOR 闪存芯片，属于其 S25FL 系列高性能、低功耗的多 I/O 串行闪存产品线。该器件采用先进的浮栅技术制造，支持快速读取、编程和擦除操作，适用于需要高密度非易失性存储的应用场景。S25FL512SAGBHID10 支持标准 SPI（Serial Peripheral Interface）、Dual SPI、Quad SPI 和 QPI（Quad Peripheral Interface）等多种通信模式，使其能够在不同的系统架构中灵活使用。该芯片广泛应用于网络设备、工业控制、汽车电子、嵌入式系统以及需要代码存储或数据记录的场合。
该器件工作电压为 3V，封装形式为 24-pin 8x6 mm SOIC（Small Outline Integrated Circuit），具有良好的热性能和机械稳定性，适合在严苛环境下运行。S25FL512SAGBHID10 提供了多种安全和保护功能，包括软件和硬件写保护机制、顶部或底部扇区锁定配置、临时和永久保护区等，有效防止意外或恶意的数据修改。此外，它还支持 JEDEC 标准的 SFDP（Serial Flash Discoverable Parameters），允许主机系统自动识别其容量、功能和时序参数，简化系统设计与固件开发流程。
型号：S25FL512SAGBHID10
制造商：Infineon Technologies
类型：NOR Flash
容量：512 Mbit (64 MB)
接口类型：SPI, Quad SPI, QPI
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装：24-pin SOIC (8x6 mm)
时钟频率：最大支持 133 MHz
写使能/禁用时间：典型值 10 μs
擦除时间（全芯片）：典型值 45 秒
编程时间（每页）：典型值 0.7 ms
SFDP 支持：是
JEDEC ID：0x01 0x02 0x18
休眠电流：典型值 1 μA
工作电流（读取）：典型值 12 mA @ 33 MHz
S25FL512SAGBHID10 具备多项先进特性，确保其在各种嵌入式应用中的高性能与可靠性。首先，该器件支持多种 I/O 操作模式，包括单线 SPI、Dual SPI、Quad SPI 和高速 QPI 接口，可显著提升数据传输速率，在 133MHz 时钟下实现高达 33.25 MB/s 的连续读取带宽，满足对实时性和响应速度要求较高的系统需求。
其次，该芯片具备卓越的耐久性和数据保持能力。每个存储单元可支持多达 100,000 次的编程/擦除周期，并且在正常工作条件下，数据可保存长达 20 年，确保长期稳定运行。这对于工业自动化、车载信息娱乐系统及网络基础设施等关键领域尤为重要。
第三，S25FL512SAGBHID10 集成了丰富的保护机制。通过状态寄存器、保护引脚（WP#）和 HOLD# 功能，用户可以灵活配置部分或全部存储区域为只读状态，防止误写或恶意篡改。同时支持一次性可编程（OTP）区域和永久性锁定功能，增强安全性。此外，该器件符合 RoHS 指令，采用无卤素材料设计，环保且兼容现代绿色制造标准。
最后，该器件支持标准命令集和 SFDP 表格结构，允许主控制器自动读取其物理特性和功能参数，无需硬编码即可实现即插即用式的兼容性，极大简化了系统移植和升级过程。内置的ECC（错误校正码）逻辑进一步提升了数据完整性，即使在恶劣电磁环境中也能可靠工作。
S25FL512SAGBHID10 广泛用于需要大容量、高速度和高可靠性的非易失性存储解决方案中。常见应用包括路由器、交换机等网络通信设备中的固件存储；工业控制系统中的程序代码和配置参数保存；汽车电子系统如 ADAS、仪表盘、车载导航中的启动代码和地图数据缓存；医疗设备中的诊断记录和操作系统镜像存储；以及高端消费类电子产品如智能电视、机顶盒中的引导加载程序（Bootloader）存放。
由于其支持 QPI 和快速读取模式，特别适用于需要从闪存直接执行代码（XIP, Execute In Place）的应用场景，减少对外部 RAM 的依赖，降低整体系统成本。同时，其宽温范围和高抗干扰能力使其能在极端环境（如工厂车间、户外基站、车辆引擎舱附近）中稳定运行。此外，在物联网网关和边缘计算设备中，该芯片可用于存储传感器固件、安全证书和本地日志数据，保障系统持久化运行和远程更新能力。
S25FL512SAGBHI10
S25FL512SAGBHN10
MT25QL512ABB1EW9AQ
