IXBF15N300C 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款高功率 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极晶体管)芯片。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极晶体管的低导通压降优势,适用于高功率、高频开关应用。IXBF15N300C 封装为 TO-247,广泛用于工业电机驱动、逆变器、电源系统以及电动汽车等高功率电子设备中。
集电极-发射极电压(VCES):3000 V
集电极电流(IC):15 A
栅极-发射极电压(VGE):±20 V
导通压降(VCEsat):约 2.1 V(在 IC=15 A,VGE=15 V)
工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C
短路耐受能力:有
封装类型:TO-247
功率耗散(Ptot):125 W
IXBF15N300C 具有高电压阻断能力和良好的导通特性,适用于高压、高功率开关应用。其主要特性包括:
1. 高耐压能力:最大集电极-发射极电压(VCES)可达 3000 V,适合高压系统设计。
2. 低导通压降:在额定电流下导通压降(VCEsat)约为 2.1 V,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 高可靠性:采用先进的 IGBT 技术,具有良好的短路耐受能力和热稳定性,适用于严苛的工业环境。
4. 宽工作温度范围:工作温度范围从 -55 °C 到 +150 °C,适用于宽温条件下运行的设备。
5. 易于驱动:栅极驱动电压范围为 ±20 V,便于与标准驱动电路兼容。
6. 封装形式:采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,适用于中高功率应用。
7. 优化的开关特性:通过优化设计,该器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗。
IXBF15N300C 主要应用于需要高压、高功率开关控制的场合。典型应用包括:
1. 工业电机控制:如变频器、伺服驱动器等,用于控制大功率电机的启停与调速。
2. 电源系统:用于开关电源、不间断电源(UPS)和直流电源转换系统中,实现高效的能量转换。
3. 逆变器系统:在太阳能逆变器、风能逆变器和电动汽车充电系统中,用于将直流电转换为交流电。
4. 电焊设备:作为功率开关器件,用于控制焊接电流的输出。
5. 电动汽车:在电动汽车的电机驱动系统和电池管理系统中,用于高电压、大电流的控制。
6. 工业自动化设备:如工业机器人、自动化生产线中的大功率执行机构控制。
IXBF15N300C 可以考虑的替代型号包括:IXBF15N300B、IXGH15N300B、FGA15N30SMD、STGF15N300TS。