类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id)：100mA
　　导通电阻(Rds(on))：约3Ω（在Vgs=4.5V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOT-23、SOT-323

S2345的主要特性包括低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性。其低Rds(on)特性使其在导通状态下功耗较低，从而提高整体能效。此外，S2345的封装设计紧凑，适合在空间受限的电路板上使用。该器件还具备良好的抗静电能力，能够承受一定程度的静电放电，提高设备的可靠性。S2345的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路，同时具备较低的输入电容，有助于减少开关损耗。在高温环境下，S2345仍能保持稳定的工作性能，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　此外，S2345的结构设计使其具备较高的耐用性和长期稳定性，适用于长时间运行的电源系统。其低漏电流特性也使其在待机或低功耗模式下表现出色，有助于延长电池供电设备的续航时间。由于其良好的性价比和广泛的适用性，S2345成为许多电子工程师在设计小型电源管理系统时的首选元件。

S2345广泛应用于各类电子设备中的电源管理模块，例如便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的负载开关控制。它也常用于DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电路以及各种低功率开关电路中。在工业控制领域，S2345可用于传感器信号调节、继电器驱动和小型电机控制。此外，S2345还可用于保护电路，如过流保护和电压反向保护，提高系统的安全性和稳定性。在消费类电子产品中，S2345常用于电源管理IC（PMIC）的外围电路，协助实现更高效的能量分配和控制。

常见的替代型号包括2N7002、BS170、IRLML6401、FDV301N、SI2302DS