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GA1210Y273JBXAR31G 发布时间 时间:2025/7/3 18:25:36 查看 阅读:8

GA1210Y273JBXAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的半导体制造工艺设计,适用于高效率开关电源、电机驱动和功率转换等应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,能够有效降低功耗并提升系统性能。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,支持较高的连续漏极电流,并且具备优秀的热稳定性,非常适合需要高效功率管理的场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  工作电压(Vdss):120V
  连续漏极电流(Id):31A
  导通电阻(Rds(on)):2.7mΩ
  栅极电荷(Qg):65nC
  最大功耗(Ptot):280W
  结温范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1210Y273JBXAR31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用场景。
  3. 高额定电流能力,能够满足大功率负载的需求。
  4. 良好的热性能表现,确保在极端温度条件下的稳定运行。
  5. 高可靠性设计,通过了严格的电气和机械测试。
  6. 封装坚固耐用,易于安装和散热管理。
  这些特点使得 GA1210Y273JBXAR31G 成为工业控制、汽车电子以及通信设备中的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及 AC/DC 转换器。
  2. DC/DC 转换器与逆变器。
  3. 电动机驱动电路。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
  5. 汽车电子系统,例如启动马达或电池管理系统。
  6. 工业自动化设备中的功率模块。
  其强大的性能和适应性使其成为许多高要求应用的理想解决方案。

替代型号

IRFZ44N, FQP30N06L, AO3400A

GA1210Y273JBXAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-