时间：2025/9/14 9:26:15
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FST20200 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的高性能、高集成度的射频（RF）功率晶体管，专为射频能量应用而设计。该器件基于先进的硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，具有出色的热稳定性和高功率密度，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段中的射频加热、等离子体生成和射频能量传输等应用。FST20200 工作频率范围宽广，支持从几兆赫兹（MHz）到数十兆赫兹的频率范围，提供高达 200W 的连续波（CW）输出功率，适用于高效率、高稳定性的射频系统设计。
类型：射频功率晶体管
工艺技术：LDMOS
封装类型：气密封装
输出功率（CW）：200W
工作频率范围：典型 13.56MHz
漏极电压（Vds）：65V
栅极电压（Vgs）：-5V 至 +5V
增益：典型 20dB
效率：典型 75%
热阻（Rth）：0.5°C/W
封装尺寸：符合标准 HFET 封装
输入驻波比（VSWR）：典型 2:1
FST20200 射频功率晶体管具备多项先进特性，确保其在高强度射频应用中稳定高效运行。首先，该器件采用 LDMOS 技术，具备优异的线性度和高增益特性，能够在较宽频率范围内提供稳定的输出功率。其高效率（典型 75%）有助于减少散热需求，提高系统整体能效。
其次，FST20200 设计有良好的热管理和热稳定性，热阻低至 0.5°C/W，确保在高功率运行时仍能保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。该器件的气密封装设计也增强了其在恶劣环境下的稳定性，适用于高温、高湿等工业应用场景。
此外，FST20200 具有较高的输入驻波比容限（典型 2:1），使其在不同负载条件下仍能保持良好的性能。其宽栅极电压范围（-5V 至 +5V）允许灵活的偏置控制，适用于多种射频功率放大器拓扑结构，如 D 类、E 类放大器等。该器件的高功率密度和紧凑封装使其成为高频射频能量系统中的理想选择。
FST20200 广泛应用于射频能量领域，包括射频加热、等离子体发生器、射频驱动的工业设备、医疗射频治疗设备以及科研实验设备等。其在工业加热系统中可用于感应加热、介质加热等场景，提供高效、可控的射频能量输出。
在射频等离子体系统中，FST20200 可作为主功率放大器，驱动等离子体负载，适用于材料处理、表面改性、纳米材料合成等应用。此外，该器件也适用于射频能量传输系统，如无线能量传输、射频辅助化学反应等前沿科技领域。
由于其高可靠性和热稳定性，FST20200 也被广泛用于高频逆变器、射频测试设备、实验室射频源等高精度设备中，满足科研与工业对射频功率控制的严格要求。
STAC20200, AFT20200, MRF20200
