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PMV15ENER 发布时间 时间:2025/9/14 17:20:46 查看 阅读:12

PMV15ENER 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺,具备低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热稳定性,适用于中高功率应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):15 A
  最大漏源电压(VDS):100 V
  最大栅源电压(VGS):±20 V
  导通电阻(RDS(on)):最大 40 mΩ(在 VGS = 10 V 时)
  功率耗散(PD):46 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK、SO8 等

特性

PMV15ENER 的核心优势在于其优异的导通性能和热管理能力,其低 RDS(on) 特性显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件支持高达 15A 的连续漏极电流,适用于中高功率应用。其 100V 的漏源电压额定值使其适用于多种电压转换场景,包括汽车电子、工业电源和通信设备。PMV15ENER 采用增强型设计,确保在零栅压状态下保持关闭状态,提升了系统的安全性和稳定性。
  在热性能方面,PMV15ENER 具有良好的热阻特性,能够有效散发工作过程中产生的热量,确保在高负载条件下仍能稳定运行。其封装形式多样,包括 TO-220 和 D2PAK,便于根据不同的 PCB 布局需求进行选择。此外,该器件具有较高的抗雪崩能力和短路耐受能力,增强了在严苛工况下的可靠性。
  从驱动特性来看,PMV15ENER 的栅极电荷(Qg)较低,能够快速响应控制信号,减少开关损耗,提高整体系统效率。其 ±20V 的栅源电压额定值也提供了更强的驱动兼容性,适用于多种门极驱动电路设计。

应用

PMV15ENER 主要应用于各类电源管理系统,包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、电池管理系统和电动助力转向系统。在工业自动化和控制系统中,PMV15ENER 可作为高效率功率开关使用,适用于变频器、伺服驱动器和电源分配单元。此外,该器件也可用于通信设备的电源模块、不间断电源(UPS)以及智能电表等应用场合。其优异的性能和可靠性使其成为中高功率应用场景中的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, FDPF15N10, IPD15N10N3, STP15NF10

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PMV15ENER参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.97238卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.2A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)14 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)440 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW(Ta),8.3W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-236AB
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3