时间：2025/6/5 11:56:14
阅读：8
FN15N8R2C500PNG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封装形式。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关以及电池管理等。FN15N8R2C500PNG 的额定电压为 80V，并在低至毫欧级别的导通电阻下提供卓越的性能表现。
最大漏源电压：80V
最大栅极驱动电压：±20V
导通电阻（典型值）：15mΩ
连续漏极电流：50A
总功耗：3.7W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PDFN5x6
FN15N8R2C500PNG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高频工作条件下减少传导损耗。
2. 快速开关性能，适合高频开关电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
5. 小尺寸 PDFN5x6 封装，有助于节省 PCB 空间并提高热性能。
6. 提供优异的热稳定性和电气稳定性，适用于严苛的工作环境。
FN15N8R2C500PNG 广泛应用于各种高效能电力电子设备中，具体应用领域包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 同步整流电路中的主开关或辅助开关。
3. 电机驱动和电池保护系统。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业控制及汽车电子中的功率管理模块。
6. 可再生能源系统中的逆变器和转换器组件。
FDMQ8205, IRFZ44N, AO3400A
