类型：肖特基二极管
　　封装类型：SOD-123
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均整流电流（Io）：1A
　　正向压降（VF）：最大0.45V @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：5μA @ 100V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

S-US1M是一种高性能的肖特基二极管，其主要特点是快速恢复时间和低正向压降。由于采用了先进的硅半导体技术，该器件在高频开关应用中表现出色，能有效降低能量损耗，提高系统效率。此外，S-US1M的SOD-123封装形式使其具有良好的热稳定性和机械强度，适用于各种恶劣工作环境。
　　在电气性能方面，S-US1M的最大重复峰值反向电压为100V，最大平均整流电流可达1A，正向压降仅为0.45V左右，这使得它在电源转换和整流电路中表现出优异的性能。其反向漏电流极低，在100V反向电压下最大仅为5μA，从而减少了不必要的功耗。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，存储温度范围也保持在相同的区间，确保了其在极端温度条件下的稳定运行。这种宽温度范围的适应能力使S-US1M在工业控制、汽车电子、通信设备等高温或低温环境中依然能保持良好的性能。

S-US1M广泛应用于各种电子设备中，主要用于电源整流、电压钳位、反向极性保护以及高频开关电路中。在电源管理系统中，它可以作为整流器使用，将交流电转换为直流电；在DC-DC转换器中，S-US1M用于提高转换效率并减少发热；在电池供电设备中，它可作为防止电池反接的保护器件。此外，该器件还常用于通信设备、工业自动化控制系统、汽车电子、消费类电子产品等领域。

1N5819, B1100, B1200