型号：IRF1404ZS
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大连续漏极电流（Id）：220A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：880A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ @ Vgs=10V, Id=110A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ @ Vgs=4.5V, Id=70A
　　栅极电荷（Qg）：175nC @ Vds=30V, Id=220A
　　输入电容（Ciss）：7900pF @ Vds=20V
　　输出电容（Coss）：2200pF @ Vds=20V
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　功耗（Ptot）：300W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-263 (D2Pak)

IRF1404ZS采用英飞凌先进的TrenchStop 4技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，从而实现了更高的系统效率。其超低的Rds(on)值（最低仅2.7mΩ）使得在大电流应用中导通损耗极小，有效提升了电源系统的热管理性能。该器件的高电流处理能力（连续220A）使其非常适合用于高功率密度设计，如大电流同步整流、电动车辆辅助电源及工业电机控制。由于采用了优化的晶圆结构，IRF1404ZS具备较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这不仅减少了驱动电路的功率需求，还提高了开关速度，降低了开关过程中的能量损耗。
　　该MOSFET具有出色的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载开关过程中承受高能量冲击，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其坚固的结构设计结合高热稳定性封装，可在高温环境下长期稳定运行，结温最高可达175°C。TO-263封装不仅支持表面贴装自动化生产，还提供了良好的散热路径，可通过PCB上的散热焊盘将热量有效传导至外部环境。此外，该器件具备快速体二极管响应特性，反向恢复时间短（仅35ns），可减少交叉导通风险，在桥式电路中表现优异。
　　IRF1404ZS还具备良好的电磁兼容性（EMI）特性，有助于降低高频噪声辐射，简化滤波电路设计。其无铅且符合RoHS标准的材料构成，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。总体而言，IRF1404ZS是一款面向高性能、高可靠性应用的先进功率MOSFET，适用于需要高效、紧凑和耐用解决方案的设计场景。

IRF1404ZS广泛应用于多种高功率电子系统中，典型用途包括大电流DC-DC转换器，尤其是在服务器电源、电信设备和工业电源模块中作为同步整流开关使用。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为48V转12V中间总线转换器的理想选择。在电池供电系统中，如电动工具、电动自行车和便携式储能设备中，该器件可用于电池放电路径的主控开关，提供高效的能量传输与保护功能。此外，在电机驱动领域，特别是无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制器中，IRF1404ZS常被用作H桥或三相逆变器中的功率开关元件，实现精确的速度与扭矩控制。
　　该器件也适用于汽车电子中的辅助电源系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和电子水泵驱动等，凭借其宽温度范围和高可靠性，能够适应严苛的汽车工作环境。在太阳能微逆变器和UPS不间断电源系统中，IRF1404ZS可用于高频切换拓扑结构，如LLC谐振转换器或同步降压/升压电路，提升整体转换效率。此外，其表面贴装封装形式有利于实现自动化生产和小型化设计，适用于需要高集成度的现代电源模块。总之，任何需要高效、大电流、高频开关性能的应用场合均可考虑采用IRF1404ZS作为核心功率开关器件。

IRF1404ZPBF